Fyzikální praktikum III
úloha 5

Charakteristiky optoelektronických součástek

Studijní text (v PDF)

Pracovní úkol:

  1. Změřte voltampérové a světelné charakteristiky připravených luminiscenčních diod v propustném směru a určete, z jakého materiálu jsou jednotlivé diody zhotoveny.
  2. Ze změřených V-A charakteristik určete pro jednotlivé diody statický odpor Rd, dynamický odpor Rdi, hodnotu konstanty n a prahové napětí U*.
  3. Změřte charakteristiky fototranzistoru při třech různých hladinách osvětlení. Určete zisk fototranzistoru.
  4. Naměřené charakteristiky zpracujte graficky. Nezapomeňte na graf ln(IF) vs. UF.

Základní vztahy a klíčová slova:

polovodič, energetické pásové schema polovodiče,valenční, vodivostní a zakázaný pás, PN přechod v polovodiči, Fermiho hladina, luminiscenční dioda, elektroluminiscenční jev, VA charakteristika, světelná charakteristika, fotoelektrický jev, fototranzistor PNP, NPN

Pokyny k měření (PDF, ~ 100 kb)
Chyba   Zpět   Literatura
Hana Kudrnová
 0   0   1   0   5   5   4 
Tomáš Drbohlav, 23. 9. 2005