Fyzikální praktikum III
úloha 15

Studium polovodičového GaAs/GaAlAs laseru

Studijní text (v PDF)

Pracovní úkol:

  1. Změřte současně světelnou i voltampérovou charakteristiku polovodičového laseru. Naměřené závislosti zpracujte graficky. Stanovte prahový proud i0.
  2. Pomocí Hg výbojky okalibrujte stupnici monochromátoru SPM 2.
  3. Změřte emisní spektrum polovodičového laseru při několika hodnotách proudu laserem pod a nad odhadnutou prahovou hodnotou i0. Určete vlnovou délku stimulované emise a kvalitativně diskutujte změny ve spektrech provázející změnu napájecího proudu.
  4. Z modové struktury emisního spektra laseru určete délku aktivní oblasti rezonátoru. Diskutujte, proč je volena velmi úzká štěrbina monochromátoru.
  5. Určete výkonovou účinnost laseru pro vybranou hodnotu proudu v nadprahové oblasti.

Základní vztahy a klíčová slova:

pásová energetická struktura polovodiče, PN (NP) přechod, závěrný (propustný) směr, injekce PN (NP) přechodu, spontánní a stimulovaná emise, rezonátor, modová struktura záření [1],[2],[9],[12].

Pokyny k měření (PDF, ~ 100 kb)

Návod k programu (PDF, ~ 200 kb)
Chyba   Zpět   Literatura
Hana Kudrnová
 0   0   1   0   9   6   8 
Tomáš Drbohlav, 16. 2. 2007