Praktická fyzika III | úloha 15

### Studium polovodičového GaAs/GaAlAs laseru

Studijní text (v PDF)

Pracovní úkol:

1. Změřte současně světelnou i voltampérovou charakteristiku polovodičového laseru. Naměřené závislosti zpracujte graficky. Stanovte prahový proud i0.
2. Pomocí Hg výbojky okalibrujte stupnici monochromátoru `SPM 2`.
3. Změřte emisní spektrum polovodičového laseru při několika hodnotách proudu laserem pod a nad odhadnutou prahovou hodnotou i0. Určete vlnovou délku stimulované emise a kvalitativně diskutujte změny ve spektrech provázející změnu napájecího proudu.
4. Z modové struktury emisního spektra laseru určete délku aktivní oblasti rezonátoru. Diskutujte, proč je volena velmi úzká štěrbina monochromátoru.
5. Určete výkonovou účinnost laseru pro vybranou hodnotu proudu v nadprahové oblasti.

Základní vztahy a klíčová slova:

pásová energetická struktura polovodiče, PN (NP) přechod, závěrný (propustný) směr, injekce PN (NP) přechodu, spontánní a stimulovaná emise, rezonátor, modová struktura záření

Pokyny k měření (PDF, ~ 100 kb)

Návod k programu (PDF, ~ 200 kb)

Chyba Zpět Literatura

Hana Kudrnová

0 | 0 | 0 | 0 | 3 | 9 | 4

Tomáš Drbohlav, 15. 9. 2011